IPI65R190CFD
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
IPI65R190CFD datasheet
-
МаркировкаIPI65R190CFD
-
ПроизводительInfineon Technologies
-
ОписаниеInfineon Technologies IPI65R190CFD RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 17.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.19 Ohms Configuration: Single Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: I2PAK Fall Time: 6.4 ns Gate Charge Qg: 68 nC Power Dissipation: 151 W Rise Time: 8.4 ns Part # Aliases: IPI65R190CFDXK IPI65R190CFDXKSA1 SP000905386
-
Количество страниц20 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
26.05.2024
25.05.2024
24.05.2024